Aktiv gatestyrning för SiC MOSFET

Sammanfattning

Denna rapport har undersökt utformningen av aktiva drivkretsar (AGD) för SiC-MOSFETar vid högspänningsapplikationer. Syftet är att genom simuleringar utvärdera olika metoder för att styra spänningsderivatan (dv/dt) och strömderivatan (di/dt) för att optimera balansen mellan switchningsförluster och elektromagnetiska störningar. Fyra styrningsmetoder analyserades: variabel spänning, ström, resistans och kapacitans, samt två olika återkopplingsmetoder, återkoppling av gatespänning samt återkoppling av dv/dt och di/dt genom mätning av spänningsfallet över sourceinduktansen samt mätning på en kondensator mellan drain och source. Resultaten visar att adaptiv styrning via AGD effektivt kan reducera högfrekventa störningar samt ström- och spänningsderivata för att reducera den elektromagnetiska interferens som genereras av switchningen.